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多孔质Si3N4及其制法 发明申请

2022-07-31 3210 1918K 0

专利信息

申请日期 2025-04-06 申请号 TW093101308
公开(公告)号 TW200422279A 公开(公告)日 2004-11-01
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 住友电气工业股份有限公司
简介 一种多孔质Si3N4制造方法,其系制造具有高气孔率、而且具有纵横比高之Si3N4粒子之多孔质Si3N4之方法,其中包含混合Si粉末与以氧化物换算相对於100质量份Si粉末为7.5~45质量份之稀土族元素化合物的第一烧结助剂之步骤、於该混合粉末中添加黏结剂之添加步骤、使用该混合粉末与黏结剂之混合物来制作成形体之成形步骤、於氮气氛围气体中加热该成形体至300~500℃以除去黏结剂而形成脱黏结剂体之脱黏结剂步骤、於氮气氛围气体中加热至1350~1500℃并使该脱黏结剂体氮化来制作氮化体之氮化步骤、及以1750~1900℃之温度於0.1~1气压之氮气压中烧结该氮化体之烧结步骤。


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