| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN201910237587.0 |
| 公开（公告）号 | CN109979996B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 南京大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种半金属/半导体肖特基结及其制备方法和肖特基二极管。本发明提供的半金属/半导体肖特基结，包括半导体层和半金属层，所述半导体层和半金属层之间形成肖特基接触；其中，形成所述半金属层的化合物为稀土元素与VA族元素组成的化合物。本发明提供的半金属/半导体肖特基结中半导体层和半金属层的界面热稳定性良好，基于所述半金属/半导体肖特基结的肖特基二极管，理想因子约为1.05，噪声等效功率可降低至pW/Hz1/2甚至亚pW/Hz1/2量级，具有更灵敏的探测性能。 | ||
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