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Devices with optical gain in silicon 发明申请

2022-07-31 3980 1399K 0

专利信息

申请日期 2024-11-17 申请号 US10825912
公开(公告)号 US20040222411A1 公开(公告)日 2004-11-11
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 ATANACKOVIC PETAR B; MARSHALL LARRY R
简介 A photonic device includes a silicon semiconductor based superlattice. The superlattice has a plurality of layers that form a plurality of repeating units. At least one of the layers in the repeating unit is an optically active layer with at least one species of rare earth ion.


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