| 申请日期 | 2025-04-06 | 申请号 | CN02131345.8 |
| 公开（公告）号 | CN1176480C | 公开（公告）日 | 2004-11-17 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京工业大学 | ||
| 简介 | 一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的材料的特征在于：它含有氧化钪、铼和钨，其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1－10％，铼占1－5％，其余为钨。本发明提供的制备方法特征在于，它包括以下步骤：在蓝钨中，以硝酸钪水溶液形式加入1－10％的氧化钪，同时以铼酸铵水溶液的形式加入1－5％的铼，在氢气气氛中，500－650℃下还原0.5－1.5小时，800－1000℃下还原保温1－3小时，得到掺杂氧化钪的钨粉；将上述钨粉采用常规的粉末冶金方法制备烧结体；浸渍铝酸盐，超声波清洗和退火后，制成电子发射体材料。本发明的电子发射体材料发射性能均匀，提高了耐高温、抗离子轰击能力，而且本发明的制备方法工艺重复性好。 | ||
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