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Magneto-resistive film, and memory using the same 发明授权

2022-07-31 3220 78K 0

专利信息

申请日期 2024-11-18 申请号 JP2001305068
公开(公告)号 JP3592282B2 公开(公告)日 2004-11-24
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 CANON KK
简介 A magnetoresistive film having a relatively large magnetoresistive effect includes a ferrimagnetic layer, a magnetic layer, and a tunneling barrier layer disposed between the ferrimagnetic layer and the magnetic layer, the ferrimagnetic layer whose major composition including a rare earth metal and a transition metal, the magnetoresistive film includingoxidized are rare earth metal that exists near an interface between the ferrimagnetic layer and the tunneling barrier layer.


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