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三元稀土钼次级发射材料及其制备方法 发明授权

2022-07-31 3230 325K 0

专利信息

申请日期 2025-02-24 申请号 CN02125595.4
公开(公告)号 CN1178259C 公开(公告)日 2004-12-01
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京工业大学
简介 一种三元稀土钼次级发射材料及其制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的三元稀土钼次级发射材料,其特征在于:它含有La2O3、Y2O3、Gd2O3三种稀土氧化物,上述稀土氧化物重量百分比为15-30%;其中,La2O3∶Y2O3∶Gd2O3重量比为1∶3∶1或1∶2∶1。该三元稀土钼次级发射材料的制备方法是在钼的氧化物或钼粉中,以稀土硝酸盐水溶液形式加入重量比为1∶3∶1或1∶2∶1的La2O3、Y2O3、Gd2O3,在500-550℃下氢气中保温1-5个小时,然后在800-1000℃下氢气中进行1-5个小时还原处理,得到掺杂稀土氧化物的钼粉,采用粉末冶金的方法制备三元稀土钼次级发射材料。该材料次级发射系数大、发射稳定性好、易于加工、抗暴露大气能力好,可应用于磁控管阴极材料领域。


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