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掺三价铈离子稀土硅酸盐闪烁晶体的制备方法 发明申请

2022-07-31 2260 480K 0

专利信息

申请日期 2025-02-24 申请号 CN200310122618.7
公开(公告)号 CN1552957A 公开(公告)日 2004-12-08
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院上海光学精密机械研究所
简介 一种掺三价铈离子稀土硅酸盐闪烁晶体的制备 方法,其关键是在配制原料的过程中,引入与CeO2等当量的强还原性的Si3N4原料,在升温化料以及晶体生长过程中将CeO2还原成Ce2O3,再与SiO2和Re2O3等氧化物反应合成含有Ce3+离子的稀土硅酸盐单晶体,生长出只含有Ce3+离子或极少含Ce4+离子的稀土硅酸盐闪烁单晶体:Ce2xRe2(1-x)SiO5(0.0001≤X≤0.02,式中Re代表Gd、Lu、Y等三种稀土元素的一种或其中任意两种元素任意比例的组合,从而提高闪烁晶体的光输出。


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