| 申请日期 | 2024-11-18 | 申请号 | CN200310109804.7 |
| 公开（公告）号 | CN1554787A | 公开（公告）日 | 2004-12-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 包头稀土研究院 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种含铽多晶Ni－Mn－Ga磁性形状 记忆合金，属于合金材料领域，其特征是本发明的合金成分为 Ni－Mn－Ga－Tb，其中：Ni的成分范围为45－55(at)％，Mn 为18－32(at)％，Ga为16－32(at)％，Tb为0.01－5(at)％。其 优点是通过添加稀土元素Tb，使材料的抗弯强度提高2－6倍， 同时使材料的晶粒得到细化。在特定应力状态下材料的磁感生 应变可达6000－12000ppm。材料的可加工性能大大提高，实 用性增强。 | ||
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