| 申请日期 | 2024-11-18 | 申请号 | CN02818383.5 |
| 公开（公告）号 | CN1556998A | 公开（公告）日 | 2004-12-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 国家科研中心 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种磁存储器，其中每个存储器点由 磁隧道结(60)构成，该磁隧道结包括：称为受限制层(61)的磁性 层，具有硬磁化；称为自由层(63)的磁性层，其磁化可以被翻 转；以及设置在自由层(73)和受限制层(71)之间并且与所述两层 分别接触的绝缘层(62)。自由层(63)由基于稀土或过渡金属的非 晶或纳米晶合金制成，所述合金的磁有序是亚铁磁类型，所述 自由层基本为平面磁化。 | ||
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