| 申请日期 | 2024-11-18 | 申请号 | CN02818361.4 |
| 公开（公告）号 | CN1556997A | 公开（公告）日 | 2004-12-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 国家科研中心 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种带有写禁止选择的磁存储器及 其写入方法。本发明的每一个磁存储器单元包括如下组成的磁 隧道结(70)：已知为受限制层(71)的磁性层，具有硬磁化；已知 为自由层(73)的磁性层，其磁化可以被翻转；以及设置在自由 层(73)和受限制层(71)之间并且与所述两层接触的绝缘层(72)。 自由层(73)由基于稀土和过渡金属的非晶或纳米晶合金制成， 所述合金的磁有序是亚铁磁性类型。本发明的存储器的选定工 作温度接近于合金的补偿温度。 | ||
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