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发光的光学半导体主体 发明申请

2022-07-31 4290 786K 0

专利信息

申请日期 2024-11-18 申请号 CN200410036704.0
公开(公告)号 CN1558455A 公开(公告)日 2004-12-29
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 西门子公司
简介 一种发光的光学半导体主体(1),该半导体主体在 工作时从紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中发出电磁辐射,直 接在所述半导体主体(1)上敷设有一个包含有发光色料(6)的层 (4),该发光色料由一个掺有稀土的磷光体族构成,其粒度≤20μm且d50-值≤5μm,所述发光色料把来自于所述紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中的辐射的一部分变换成具有更大波长的辐射,使得该半导体主体(1)发出混合的辐射、尤其是混合色的光,该混合的辐射或光由所述具有更大波长的辐射和所述紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中的辐射组成。


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