| 申请日期 | 2024-11-18 | 申请号 | CN200410000726.1 |
| 公开（公告）号 | CN1558441A | 公开（公告）日 | 2004-12-29 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清华大学 | ||
| 简介 | 一种在玻璃衬底上制备碳纳米管的方法，属于碳 纳米管生长技术领域，特别涉及碳纳米管场发射阴极的制备。 本发明以玻璃作衬底，先在玻璃衬底上沉积一层II主族金属或 稀土金属的氟化物薄膜，再在其上沉积铁、钴、镍、钯或这些 材料组成的合金薄膜作为催化剂，然后用常规生长技术在其上 生长碳纳米管；或先在玻璃衬底上沉积一层铁、钴、镍、钯或 这些材料的合金薄膜作为催化剂，再在其上沉积一层II主族金 属或稀土金属的氟化物薄膜，然后在其上生长碳纳米管，所述 生长碳纳米管时的衬底温度为400～650℃。本方法成功地解决 了在低温条件下碳纳米管生长问题，可以实现在大面积衬底上 且大批量生产，由于以玻璃为衬底，可明显降低生产成本。 | ||
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