| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN200410014067.7 |
| 公开（公告）号 | CN1560905A | 公开（公告）日 | 2005-01-05 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 南京大学 | ||
| 简介 | 引入氧化铝保护层制备稳定的稀土氧化物栅介 电薄膜的方法，在半导体衬底材料上沉积稀土氧化物薄膜作为 高介电栅介质材料，然后原位沉积氧化铝保护层，稀土氧化物 薄膜材料：氧化钇 (Y2O3)，氧化镧 (La2O3)，和镧系的其它氧化物如 Pr2O3、CeO2、 Gd2O3、 Er2O3。 | ||
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