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下转换发光材料的制造方法 发明授权

2022-06-04 3220 425K 0

专利信息

申请日期 2025-02-21 申请号 CN201610859661.9
公开(公告)号 CN107868941B 公开(公告)日 2018-11-09
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 韩山师范学院
简介 本发明公开了一种下转换发光材料的制造方法,形成步骤包括:步骤一、提供多靶磁控溅射设备;步骤二、安装多个靶材,靶材根据所要形成的稀土掺杂氧化物进行选取,稀土掺杂氧化物的基质材料为稀土钒酸盐或稀土铌酸盐,靶材包括:基质材料对应的基质稀土氧化物靶、氧化钒靶或氧化铌靶,稀土掺杂材料对应的掺杂稀土靶;步骤三、将衬底放入到共溅射反应室的基片座上;步骤四、将对共溅射反应室进行抽真空;步骤五、通入溅射气体并进行衬底温度为室温~400摄氏度的溅射工艺在衬底表面形成所述稀土掺杂氧化物。本发明能在较低温度下实现材料的大面积生长,能与微电子工艺技术相兼容,工艺简单、成本低,并能有效的与太阳能电池的制备过程相结合。


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