| 申请日期 | 2024-11-19 | 申请号 | TW092131111 |
| 公开（公告）号 | TWI226941B | 公开（公告）日 | 2005-01-21 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 玛森科技公司 | ||
| 简介 | 揭发在热作用室中加热半导体晶片的方法及装置。装置包括利用辐射感应设备(比如高温计)的非接触温度测量系统，以测定作用期间晶片的温度。辐射感应设备藉由监视以晶片在特殊波长中放射辐射数量来测定晶片的温度。依照本发明，含於过滤光线装置中的光谱过滤器可由电灯放射，此使用於加热辐射感应设备操作之波长中的晶片。光谱过滤器包括光吸收剂，比如稀土族元素、稀土族元素的氧化物、光吸收染料、金属或半导体材料。 | ||
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