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稀土离子稳定的阿尔发赛隆粉体的自蔓延合成方法 发明申请

2022-07-31 2300 455K 0

专利信息

申请日期 2024-11-17 申请号 CN200410015999.3
公开(公告)号 CN1569745A 公开(公告)日 2005-01-26
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所
简介 本发明涉及一种稀土离子稳定的阿尔发赛隆(α -Sialon)粉体的自蔓延合成方法,其特征在于:半径很大的 Ce3+, Pr3+和 Eu3+稀土离子在通常的工艺中不 容易进入α-Sialon晶格中,而通过高温自蔓延燃烧工艺合成 后能较多地进入α-Sialon晶格。本方法采用的原料是质量百 分比不小于99.0%的氮化硅 (Si3N4)粉、氮化铝(AlN)粉、稀土氧化物 (RE2O3,RE=Ce,Pr和Eu)和氧化钇 (Y2O3)以及质量百分比不小于98.0%的铝(Al)粉和硅(Si)粉 为原料,以α-Sialon通式 RexSi12- (m+n) Alm+nOnN16-n中的x、m、n为 选择组份点的参数配料,其中m=2n=3x,x=0.3~0.6,RE 为Ce,Pr或Eu中的任何一种单独掺杂或与Y元素以不同比例 复合掺杂。


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