| 申请日期 | 2024-11-29 | 申请号 | CN200410045717.4 |
| 公开（公告）号 | CN1574215A | 公开（公告）日 | 2005-02-02 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | ||
| 简介 | 提供了一种存储单元以及用来控制存储材料的 电阻性质的方法。此方法包含：形成亚锰酸盐；在氧气氛中对 亚锰酸盐进行退火；响应于退火而控制亚锰酸盐中的氧含量； 以及响应于氧含量而控制通过亚锰酸盐的电阻。此亚锰酸盐是 通式为RE1－ xAExMnOy的钙钛矿型氧化锰，其中，RE是稀土 离子，AE是碱土离子，x为0.1－0.5。对亚锰酸盐中的氧含量 的控制包括形成y大于3的富氧RE1－ xAExMnOy区。在富氧的亚锰酸盐区中得到了低 的电阻。当y小于3时，形成了高电阻。更具体地说，此工艺 形成了邻接贫氧高阻亚锰酸盐区的低阻富氧亚锰酸盐区。 | ||
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