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稀土扩散磁体的制备方法及稀土扩散磁体 发明授权

2022-06-02 3560 667K 0

专利信息

申请日期 2025-02-22 申请号 CN202010077660.5
公开(公告)号 CN111524670B 公开(公告)日 2022-04-12
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 天津三环乐喜新材料有限公司; 北京中科三环高技术股份有限公司
简介 本发明公开一种稀土扩散磁体的制备方法及稀土扩散磁体。稀土扩散磁体的制备方法包括步骤:对基体进行溅射,溅射第一靶材,在基体的表面形成第一镀层,第一靶材的组成成分按质量百分比为:RHx‑RLy‑Mz,其中,RH为Dy、Tb或Ho中的一种或多种,RH至少包含Dy或Tb中一种,RL为Nd、Pr、Ce、La、Y中的一种或多种,RL至少包含Nd或Pr中的一种,M为Co、Cu、Ga、Ag、Sn或Al中的至少一种元素,y为22~28wt%,z为0~20wt%,x为(100‑y‑z)wt%,基体为稀土磁体;对溅射后的基体进行扩散处理,获得稀土扩散磁体。本发明制备的稀土扩散磁体耐腐蚀性明显提高。


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