| 申请日期 | 2025-02-27 | 申请号 | US09898039 |
| 公开（公告）号 | US6852575B2 | 公开（公告）日 | 2005-02-08 |
| 公开国别 | US | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | Nestor Alexander Bojarczuk Jr; Douglas Andrew Buchanan; Supratik Guha; Vijay Narayanan; Lars Ake Ragnarsson | ||
| 简介 | A method (and resultant structure) of forming a semiconductor structure, includes forming a mixed rare earth oxide on silicon. The mixed rare earth oxide is lattice-matched to silicon. | ||
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