| 申请日期 | 2024-11-19 | 申请号 | TW093114518 |
| 公开（公告）号 | TW200507118A | 公开（公告）日 | 2005-02-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西摩费克斯有限公司 | ||
| 简介 | 高密度氧化物薄膜系藉由脉冲DC偏压反应性溅镀法，自含钛溅靶沈积，以形成高品质含钛之氧化物薄膜。根据本发明形成钛为底质层或薄膜之方法包括藉由脉冲DC偏压反应性溅镀法在一基板上沈积含钛之氧化物层。某些实例中，该层系TiO2。在某些实例中，该层系钛之次氧化物。某些实例中，该层系TixOy，其中x介於约1与约4之间，y介於约1与约7之间。某些实例中，该层可掺杂一或多种稀土离子。此等层於能量与电荷储存以及能量转换技术。 | ||
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