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磁阻效应型元件及用它制作的磁存储元件和磁头 发明授权

2022-07-31 3090 1470K 0

专利信息

申请日期 2024-11-19 申请号 CN01122062.7
公开(公告)号 CN1190856C 公开(公告)日 2005-02-23
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 松下电器产业株式会社
简介 本发明的元件含有具有以式L2(A1-zRz)2An-1MnO3n+3+x表示的组成,结晶构造内具有(L-O)2层的层状钙钛矿型氧化物、和夹持着层状钙钛矿型氧化物并与该氧化物连接形成的一对强磁性体,通过上述(L-O)2层施加偏磁,实现了磁阻隧道效应。其中A表示从Ca、Sr和Ba中选出的至少1种碱土类元素、L表示从Bi、Tl和Pb中选出的至少1种元素、M表示从Ti、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、Fe和Cr中选出的至少1种元素、R表示稀土类元素,n为1,2或3,X,Z分别为-1≤x≤1,0≤z≤1中的值。


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