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掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法 发明申请

2022-07-31 1560 320K 0

专利信息

申请日期 2024-11-19 申请号 CN200410053302.1
公开(公告)号 CN1587448A 公开(公告)日 2005-03-02
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院上海光学精密机械研究所
简介 一种掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法,该晶体 结构表示为AeWO4:Re,F,该 晶体的生长方法包括下列步骤:①初始原料的配方;②按选定 比例称取的原料,充分混合均匀后压制成块,放入铱或铂金坩 埚内,采用相应的AeWO4晶体 作籽晶,生长气氛为高纯氩气(Ar)或氮气 (N2),采用熔体法生长晶体生长 方法。本发明采用F-离子补偿 三价稀土离子掺入碱土金属钨酸盐 AeWO4 (Ae=Ca,Sr,Ba)晶体 中引起的电荷不平衡,形成同时含有氟氧两种阴离子的激光晶 体(AeWO4 : Re,F)实验证明激光 输出效率可以提高10~200%。


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