| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN200410053303.6 |
| 公开（公告）号 | CN1587446A | 公开（公告）日 | 2005-03-02 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | ||
| 简介 | 一种稀土硫代氧化物晶体的生长方法，是采用助 熔剂并利用温度梯度炉生长晶体的方法，包括籽晶制备、料块 压制和温度梯度法生长晶体步骤。该方法可以获得厘米量级， 高质量的稀土硫代氧化物 (Re2O2S)和稀土元素掺杂的稀土硫代氧化物(Re ′ : Re2O2S)单晶体毛胚。 | ||
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