| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN200410054075.4 |
| 公开（公告）号 | CN1587201A | 公开（公告）日 | 2005-03-02 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | ||
| 简介 | 一种稀土硫代氧化物激光陶瓷，其特征在于该激 光陶瓷的组成如下：基料为稀土硫代氧化物－ Re2O2S；激光激活离子Nd或Yb离子的掺杂浓度为0.1～10at ％；致密剂LiF或 Li2GeF6占0.1～10wt％，采用高温烧结而成。本发明稀土硫代氧 化物激光陶瓷不仅可以克服单晶体生长过程中难以避免的困 难，同时成本相当低，光学各向同性，掺杂离子在基质中分布 均匀，具有优异的热性能。由于具有特别高的发光效率，该类 材料在全固化、集成化的激光器中有着很好的应用前景。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
