| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | TW094103987 |
| 公开（公告）号 | TW200530645A | 公开（公告）日 | 2005-09-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 汤寅生 | ||
| 简介 | 本发明揭露一具有一基材及一与该基材整合之掺杂稀土的半导体层(REDS层)之经整合装置。REDS层系被图案化以界定一或多个光学放大结构，光学放大结构系各具有一用於接收或输出一第一光学信号之第一I／O埠、及用於接收呈电泵能及／或光学泵能的至少一者形式之泵送能之至少一泵能接收埠。在特定一组的实施例中，光学放大结构的至少一者系为一拉曼(Raman)类型放大器，其中一对应的泵能接收埠系构成为接收具有一有效频率之拉曼型泵送能，该有效频率系约比一对应I／O埠所供应之一光学信号的信号频率更高出一光学声子频率。揭露用於制造掺杂稀土的半导体层且包括提供此等层於绝缘体上覆半导体(SOI：semiconductor–on–insulator)结构中以及用於增强所包含的稀土原子之有效长期浓度之方法。此外，亦揭 | ||
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