| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN200510023461.1 |
| 公开（公告）号 | CN1670248A | 公开（公告）日 | 2005-09-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海交通大学 | ||
| 简介 | 一种单晶硅片表面制备磺酸基硅烷－稀土纳米 复合薄膜的方法，将单晶硅片作为基底材料，在其表面采用自 组装方法制备磺酸基硅烷－稀土纳米薄膜，首先将单晶硅片浸 泡在王水中加热5～6小时，在室温中冷却、冲洗干燥后浸入 配制好的巯基硅烷溶液中，静置6～8小时取出，冲洗后用氮 气吹干置于硝酸中反应，把端巯基原位氧化成磺酸基，再将表 面附有磺酸基硅烷薄膜的基片置入由稀土化合物、乙醇、乙二 胺四乙酸、氯化铵、尿素及硝酸组成的稀土自组装溶液中进行 组装，即获得磺酸基硅烷－稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺 方法简单，在单晶硅片表面制备的稀土自组装薄膜有明显减 摩、耐磨作用。 | ||
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