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单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法 发明申请

2022-07-31 1930 323K 0

专利信息

申请日期 2024-11-17 申请号 CN200510023460.7
公开(公告)号 CN1670247A 公开(公告)日 2005-09-21
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海交通大学
简介 一种单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复 合薄膜的方法,将表面经过处理的单晶基片作为基底材料,在 其表面采用自组装方法制备巯基硅烷-稀土纳米薄膜,首先将 单晶硅片放入王水中,对单晶硅片进行预处理,清洗、干燥后, 浸入巯基硅烷溶液中,静置8小时后取出,冲洗后用氮气吹干 置于由稀土化合物、乙醇、乙二胺四乙酸、氯化铵、尿素及硝 酸组成的稀土自组装溶液中进行组装,即获得巯基硅烷-稀土 自组装纳米薄膜。本发明工艺方法简单,在单晶硅片表面制备 的稀土自组装薄膜有明显减摩、耐磨作用。


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