| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN03821675.2 |
| 公开（公告）号 | CN1682570A | 公开（公告）日 | 2005-10-12 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 伊菲雷技术公司 | ||
| 简介 | 提供一种新颖的结构，用以改善在ac厚膜电介 质电致发光显示器中使用的基于硫代铝酸盐的磷光体的操作 稳定性。该新颖的结构包括，稀土激活的碱土硫代铝酸盐磷光 体薄膜层；和氧氮化硅层，其提供在直接相邻于该磷光体薄膜 层的顶部和/或底部，其中所述氧氮化硅层包括组分 Si3NxOyHz，其中2≤x≤4，0＜y≤2且0≤z≤1。本发明特别适 用于电致发光显示器中使用的磷光体，该电致发光显示器使用 了经历高工艺温度以形成和激活磷光体膜的厚电介质层。 | ||
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