| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | TW093141097 |
| 公开（公告）号 | TW200535097A | 公开（公告）日 | 2005-11-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 半透明弗托尼克斯公司 | ||
| 简介 | 将原子层磊晶(ALE)运用在新形式之稀土氧化物、稀土氮化物、以及稀土磷化物的制造上。再者，还揭示了由二元(稀土氧化物、稀土氮化物、以及稀土磷化物)所构成之三元化合物，其系与矽及／或锗混合，以形成分子式RE－(O, N, P)－(Si, Ge)的化合物半导体，其中RE＝选自於稀土金属族群中之至少一种、O＝氧、N＝氮、P＝磷、Si＝矽以及、Ge＝锗。所呈现的ALE成长技术、与材料系统均可运用在矽电子、光－电子、电致－电子、以及电致－光学装置上。 | ||
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