| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN200510025073.7 |
| 公开（公告）号 | CN1706994A | 公开（公告）日 | 2005-12-14 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海交通大学 | ||
| 简介 | 一种稀土钡铜氧REBCO薄膜作籽晶同质外延生 长超导块体材料的方法，通过冷籽晶法生长高温超导REBCO， 采用沉积在单晶基板上的REBCO薄膜作种膜，该种膜材料在 单晶氧化镁基板上过热度可达到50K以上。按照REBCO和适 量RE211来进行组分配料，研磨煅烧多次后，压制成前驱体片 并在其顶部放上相应的REBCO薄膜作籽晶，通过熔融织构获 得REBCO块体材料。本发明工艺简单，能够在无杂质且晶格 完全匹配的情况下生长取向性好并具有大单畴结构的高温超 导REBCO块体材料。 | ||
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