| 申请日期 | 2024-11-29 | 申请号 | CN202111682062.1 |
| 公开（公告）号 | CN114361337A | 公开（公告）日 | 2022-04-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华中科技大学; 湖北江城实验室 | ||
| 简介 | 本发明属于半导体存储器件技术领域，具体公开了一种具有突触特性的掺杂型铁酸铋忆阻器及其制备方法，该忆阻器依次包括衬底、底电极、功能层和顶电极；所述功能层为掺杂铁酸铋薄膜，所述掺杂铁酸铋薄膜的材料为A位单掺杂、B位单掺杂或A位与B位共掺杂的铁酸铋，A位掺杂元素为稀土金属元素和碱土金属元素中的至少一种，B位掺杂元素为3d过渡金属元素。本发明忆阻器通过对铁酸铋进行掺杂，使得器件具备多种阻态，在脉冲调制下，既可实现稳定的二值存储又可实现电导连续可调特性，能够实现与生物突触相类似的功能，可广泛应用于神经网络领域研究。 | ||
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