| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN200410050130.2 |
| 公开（公告）号 | CN1234147C | 公开（公告）日 | 2005-12-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京工业大学 | ||
| 简介 | 纳米复合稀土钨电子发射材料的放电等离子制备方法，属稀土难熔金属电子发射材料技术领域。针对现有技术问题，提供了一种稀土元素分布均匀，扩散性能良好的制备方法：将原料装入石墨模具内后放入放电等离子系统中进行烧结，其中原料为公知的颗粒为20nm～30nm的重量百分比为99.5％～70.0％的钨粉以及颗粒为10nm以下的重量百分比为0.5％～30.0％的稀土氧化物CeO2或La2O3或Y2O3；抽真空到1Pa～10Pa时，以升温速度为50～300℃/min到1200℃～1800℃的保温3min～10min，在烧结过程中的烧结压力为：10Mpa～70Mpa，冷却至600℃以下后取出石墨模具在室温下继续冷却，脱模后获得烧结体；切除上述烧结体0.5～1mm的表层，得到本发明的材料。从图可知，该材料的零场发射电流密度大，逸出功小，具有优异的热电子发射性能。 | ||
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