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稀土卤化物块的制备方法 发明申请

2022-07-31 4870 1095K 0

专利信息

申请日期 2024-11-17 申请号 CN200380104320.1
公开(公告)号 CN1717466A 公开(公告)日 2006-01-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 圣戈班晶体及检测公司
简介 本发明涉及一种式 AeLnfX (3f+e)多晶卤化物块的制 备方法,其中Ln代表一种或多种稀土;X代表一种或多种选 自Cl、Br或I的卤素原子;A代表一种或多种碱金属,例如K、 Li、Na、Rb或Cs;e可以是零,不大于3f,f不小于1,水和 卤氧化物含量低,所述的方法包括下述步骤:加热至少一种含 有至少一种Ln-X键的化合物与足够量的 NH4X的混合物的步骤,以达到 所需要的卤氧化物含量,所述的步骤得到一种含有稀土卤化物 的熔块,所述的加热步骤后接一个冷却步骤,在达到300℃之 后而得到熔融块之前,加热步骤不降到200℃以下。如此得到 的块能生长具有显著闪烁性能的非常纯的单晶。


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