| 申请日期 | 2024-11-29 | 申请号 | CN202210245536.4 |
| 公开（公告）号 | CN114360762A | 公开（公告）日 | 2022-04-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西安拓库米电子科技有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种片式电阻用抗银迁移银导体浆料及其制备方法，银导体浆料的重量百分比组成为：微米级球状银粉40wt%～60wt%，亚微米级球状银粉15wt%～35wt%，铋类玻璃粉2.5wt%～4wt%，稀土类玻璃粉2wt%～3wt%，有机载体18wt%～20wt%。本发明采用亚微米级球状银粉适当降低了银粉的烧结温度，增强了银层烧结后导电特性，采用低软化点的重金属铋类玻璃粉提高了银层与基板之间的结合力，保证了片式电阻的长期可靠性，同时采用高软化点的稀土类玻璃粉钝化表面银层，提高了整体银层的抗银迁移效果。 | ||
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