申请日期 | 2024-11-18 | 申请号 | CN200410015999.3 |
公开(公告)号 | CN1239432C | 公开(公告)日 | 2006-02-01 |
公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | ||
简介 | 本发明涉及一种稀土离子稳定的阿尔发赛隆(α-Sialon)粉体的自蔓延合成方法,其特征在于:半径很大的Ce3+,Pr3+和Eu3+稀土离子在通常的工艺中不容易进入α-Sialon晶格中,而通过高温自蔓延燃烧工艺合成后能较多地进入α-Sialon晶格。本方法采用的原料是质量百分比不小于99.0%的氮化硅(Si3N4)粉、氮化铝(AlN)粉、稀土氧化物(RE2O3,RE=Ce,Pr和Eu)和氧化钇(Y2O3)以及质量百分比不小于98.0%的铝(Al)粉和硅(Si)粉为原料,以α-Sialon通式RexSi12-(m+n)Alm+nOnN16-n中的x、m、n为选择组份点的参数配料,其中m=2n=3x,x=0.3~0.6,RE为Ce,Pr或Eu中的任何一种单独掺杂或与Y元素以不同比例复合掺杂。 |
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