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单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法 发明申请

2022-07-31 3200 477K 0

专利信息

申请日期 2024-11-17 申请号 CN200510027350.8
公开(公告)号 CN1730377A 公开(公告)日 2006-02-08
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海交通大学
简介 一种单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑 复合薄膜的方法,将表面经过处理的单晶硅片作为基底材料, 在其表面采用自组装方法制备巯基硅烷,然后用溶胶-凝胶法 在其表面制备含有稀土元素的纳米薄膜。首先将单晶硅片放入 王水中进行预处理,清洗后置入羟基化溶液在室温下进行处 理,然后再浸入巯基硅烷溶液中,静置6~8小时后取出,冲 洗后用氮气吹干置于配制好的溶胶溶液中静置,提拉,然后干 燥,或者重复上述操作制备多层薄膜;把覆有复合薄膜的单晶 硅片放入马弗炉保温,缓慢升温至500℃,在炉内自然冷却至 室温即可得到稀土纳米薄膜。本发明工艺方法简单,可以将摩 擦系数从无膜时的0.8降低到0.1,具有十分明显的减摩作用。


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