| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN200510027349.5 |
| 公开（公告）号 | CN1733593A | 公开（公告）日 | 2006-02-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海交通大学 | ||
| 简介 | 一种单晶硅片表面制备磺酸基硅烷－稀土纳米 复合薄膜的方法，将表面经过处理的单晶基片作为基底材料， 在其表面采用自组装法制备磺酸基硅烷，然后用溶胶－凝胶法 在其表面制备含有稀土元素的纳米薄膜，首先将单晶硅片浸泡 在王水中加热5～6小时，取出用去离子水清洗，置入羟基化 溶液，室温下处理1小时，清洗干燥后浸入配制好的巯基硅烷 溶液，静置6～8小时取出，冲洗后用氮气吹干置于硝酸中， 把端巯基原位氧化成磺酸基，再将基片置入溶胶溶液，静置后 提拉，放入烘箱干燥后把覆有复合薄膜的样品放入马弗炉，缓 慢升温至500℃，在炉内冷却至室温即得到稀土纳米薄膜。本 发明可以将摩擦系数从无膜时的0.8降低到0.1，具有十分明显 的减摩作用。 | ||
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