申请日期 | 2024-11-18 | 申请号 | CN200510046967.4 |
公开(公告)号 | CN1737675A | 公开(公告)日 | 2006-02-22 |
公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
申请人 | 大连理工大学 | ||
简介 | 本发明属于光通信技术中有源光放大器件领域, 具体涉及到一种利用激光退火对掺铒/铒镱共掺氧化铝薄膜进 行晶化的方法。其特征是利用低功率 CO2激光器对等离子体溅射方法 制备掺铒/铒、镱共掺氧化铝薄膜进行照射,退火效果通过调节 激光器工作功率和样品台位置与照射时间控制。本发明的效果 和益处是利用CO2激光束照射 在掺铒/铒、镱共掺氧化铝薄膜,在很短的时间内在薄膜表面产 生高温,提高氧化铝材料的晶化程度,从而可以大幅度地提高 氧化铝中铒的荧光谱强度。 |
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