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高品质高k过渡金属与稀土族氧化物的原子层沉积 发明申请

2022-07-31 3290 750K 0

专利信息

申请日期 2024-11-18 申请号 TW094126076
公开(公告)号 TW200608491A 公开(公告)日 2006-03-01
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 英特尔股份有限公司
简介 在施以金属先质脉冲之前,增加氧化剂的连续脉冲数,可改善所得金属或稀土金属氧化物膜之品质。这些金属和稀土金属氧化物膜可用於高介电常数闸极(gate)介电物。此外,在预稳定期间内之氧化剂脉冲有其优点。此外,使用的氧化剂脉冲数比先质脉冲数来得多会降低所得膜的氯浓度。


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