用于金属氧化物层或膜沉积的前体发明申请

2022-07-31 4840 1108K 0

申请日期	2024-11-26	申请号	CN200480007136.X
公开（公告）号	CN1761674A	公开（公告）日	2006-04-19
公开国别	CN	申请人省市代码	全国
申请人	埃普切公司
简介	用于MOCVD技术的稀土金属前体具有通式 OCR1 (R2)CH2X的配体，其中R1是H或烷基，R2是任选被取代的烷基， X选自OR和NR2，其中R是烷基或被取代的烷基。还描述了生产这种前体的方法以及从这种前体沉积金属氧化层的方法。

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