| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN202110320118.2 |
| 公开（公告）号 | CN113072091B | 公开（公告）日 | 2022-05-20 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 南昌航空大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种五元铈钕钇基高熵稀土氧化物及其制备方法，所述高熵稀土氧化物的化学式为(CeNdYREIREII)2O3，其中REI、REII为La、Pr、Sm中的任意两种，且各稀土元素的含量均介于15%~25%之间，(CeNdYREIREII)2O3的晶体结构为方铁锰矿型。本发明通过球磨和固相反应法制备了具有晶粒尺寸小、化学组成和结构均匀的粉体材料。本发明提供的五元铈钕钇基高熵氧化物材料有望应用于电子传感器、微波介质陶瓷、电容器、热敏电阻等电子陶瓷材料、电池材料以及磁性材料等领域。 | ||
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