| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN200610001059.8 |
| 公开（公告）号 | CN1807540A | 公开（公告）日 | 2006-07-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京工业大学 | ||
| 简介 | 本发明属于化学机械抛光领域。现有日本的几种 抛光液产品主要为金刚石磨料的碱性溶液，由于其中磨粒粒径 大小不均匀，不能很好的解决机械作用造成的损伤和应力的问 题，无法达到光滑镜面的目的。本发明提供的一种有机碱腐蚀 介质的稀土抛光液，包括磨料二氧化铈和腐蚀剂有机碱三乙醇 胺，重量百分比含量为二氧化铈0.5％～5％、三乙醇胺为0.05～ 1.0％，其余为H2O。本发明的抛 光液中还可包含0.25％～1.0％的氧化剂铁氰化钾。上述抛光液 在加入氧化剂铁氰化钾还 可同时加入重量百分含量为5％～15％过氧化氢。本发明的抛 光液用于单晶硅片表面抛光，克服了使用现有抛光液中磨料硬 度高造成的表面划伤和选择其他种类腐蚀介质带来的缺陷，获 得了理想的光滑镜面抛光效果。 | ||
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