| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | TW094126076 |
| 公开（公告）号 | TWI267141B | 公开（公告）日 | 2006-11-21 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 英特尔股份有限公司 | ||
| 简介 | 在施以金属先质脉冲之前，增加氧化剂的连续脉冲数，可改善所得金属或稀土金属氧化物膜之品质。这些金属和稀土金属氧化物膜可用於高介电常数闸极(gate)介电物。此外，在预稳定期间内之氧化剂脉冲有其优点。此外，使用的氧化剂脉冲数比先质脉冲数来得多会降低所得膜的氯浓度。 | ||
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