| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN201810910453.6 |
| 公开（公告）号 | CN109494155B | 公开（公告）日 | 2022-04-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及形成西格玛形状源极/漏极晶格的方法、设备及系统，其揭示形成一西格玛形状源极/漏极晶格的方法、设备及系统中的至少一种。一鳍片形成在一半导体衬底上。一栅极区域形成在该鳍片的上方。在邻接该鳍片的底部的一源极区域以及一漏极区域中，一第一凹槽空腔形成于该源极区域中，以及一第二凹槽空腔形成于该漏极区域中。该第一凹槽空腔以及第二凹槽空腔包括相对于一垂直轴形成一角度的侧壁。该第一以及第二凹槽空腔的部分于该鳍片的下方延伸。于该第一凹槽空腔中，形成一第一稀土氧化物层，以及于该第二凹槽空腔中，形成一第二稀土氧化物层。 | ||
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