| 申请日期 | 2025-04-10 | 申请号 | CN200510021674.0 |
| 公开（公告）号 | CN100469940C | 公开（公告）日 | 2009-03-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 电子科技大学 | ||
| 简介 | 金属氧化物薄膜的制备方法，涉及超导带材氧化物过渡层薄膜 的制备技术。本发明方法具体为：1)0.2Pa-2Pa氩氢混合气体环境下， 在NiW3％双轴金属基片上溅射沉积稀土金属薄膜；2)7×10-4Pa-5 ×10-3Pa水蒸气环境下，加入氩氢混合气体使气体总压为0.2Pa-2Pa， 加热沉积了稀土金属薄膜的基片至700℃-1000℃并保持10-120min， 稀土金属薄膜氧化形成具有双轴织构特性的稀土金属氧化物薄膜；3) 降温。本发明方法制备的氧化物过渡层薄膜具有良好的织构和高的表 面平整度，沉积速率可达到0.3nm/s，为工业快速生长第二代高温超 导带材氧化物过渡层薄膜提供了良好的实现途径。 | ||
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