| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN200610042720.X |
| 公开（公告）号 | CN100415681C | 公开（公告）日 | 2008-09-03 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西安交通大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷介质，按摩尔百分比，包括下述组分：ZnO为91～98％；Bi2O3、Cr2O3、Co2O3、Ni2O3、MnCO3和SiO2各为0.1～1.0％；H3BO3为0.01～0.2％，Al(NO3)3·9H2O为0.001～0.01％；Sb2O3为0.5～2％；稀土氧化物Ce2O3或Gd2O3，其含量为0.1～1.0％。本发明通过对稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3单掺杂和双掺杂，并调整掺杂含量的合理比例，在1100～1180℃烧结得到的陶瓷介质，电位梯度可提高到500V/mm以上。本发明的压敏陶瓷介质可用于制造超/特高压电力系统的优质避雷器产品。 | ||
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