| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN201910172291.5 |
| 公开（公告）号 | CN109782537B | 公开（公告）日 | 2022-05-20 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中山职业技术学院 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法，采用稀土物质、硅源、可溶性镁盐、可溶性铝盐等，通过高温水热反应制得改性硅酸镁铝；然后将其参与丙烯酸酯单体、交联单体的聚合反应，制得改性丙烯酸树脂低聚物；再利用改性硅酸镁铝制备改性硫醇溶液；最后将改性丙烯酸树脂低聚物、改性硫醇溶液、光引发剂及其它助剂混合分散均匀，即可。本发明制得的光刻胶属于非化学放大类，其在193nm深紫外光源下迅速聚合，感光性能强，灵敏度好，分辨率达到0.09～0.11μm，光刻综合性能达到国际最先进水平，应用前景极为光明。 | ||
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