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稀土氧化物次级发射材料及其制备方法 发明授权

2022-07-28 1000 396K 0

专利信息

申请日期 2024-11-17 申请号 CN200510002278.3
公开(公告)号 CN100447929C 公开(公告)日 2008-12-31
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京工业大学
简介 稀土氧化物次级发射材料及其制备方法属电子发射材料领域。磁控管是应用广泛的真空微波器件,目前材料为ThO2,具有放射性。本发明以La2O3、Y2O3、Gd2O3单一稀土氧化物或者La2O3-Y2O3、La2O3-Gd2O3、Y2O3-Gd2O3、La2O3-Y2O3-Gd2O3复合稀土氧化物任意一种为原料,与硝酸纤维素、硝化棉有机溶液混合成悬浊液,浸入W、Mo或Ta的海绵体中制成氧化物海绵体阴极。其制备方法包括:以单一稀土氧化物或者复合稀土氧化物为原料磨后粉末与硝酸纤维素、硝化棉有机溶剂混合,制成悬浊液;在W、Mo或Ta薄片上制备W、Mo或Ta的海绵层,海绵层所用粉末颗粒粒径40—60μm,孔度控制在40-60%;将此悬浊液浸入W、Mo或Ta的海绵层,在氢气或真空气氛下进行烧结,烧结温度1800—2000℃。本发明材料次级发射性能优异,对环境友好。


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