| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN200710178450.X |
| 公开（公告）号 | CN101182626A | 公开（公告）日 | 2008-05-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种在高温超导ReBa2Cu3O7薄膜上非原位镀制贵金属膜的方法，其中Re为Y、Gd、Nd、Dy、Eu等稀土元素，包括以下步骤：1)在高于5×10－5Pa真空度的真空室内先将高温超导ReBa2Cu3O7薄膜以每分钟50℃的升温速度加热至500±50℃，保持3分钟，然后降温至室温；2)镀制贵金属膜。该方法可以有效地改变因暴露大气而形成的表面层的晶体结构(从非晶结构相变为类体内的正交结构)，获得导电性很好的表面层。最终，降低高温超导ReBa2Cu3O7薄膜与贵金属膜之间的接触电阻。 | ||
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