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Ba1-xMgLiGaMxFBr1-ySy∶Rez, Ag0.1光存储发光材料及其制备方法 发明申请

2022-07-28 1420 299K 0

专利信息

申请日期 2024-11-26 申请号 CN200710151095.7
公开(公告)号 CN101186822A 公开(公告)日 2008-05-28
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 天津理工大学
简介 本发明属于光存储发光材料,特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像,工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、银离子共激活的Ba1-xMgLiGaMxFBr1-ySy∶Rez,Ag0.1光存储发光材料。本发明还提供了该及光存储发光材料的制备方法。本发明的新型光存储发光材料,所匹配的波长段为650纳米-1000纳米之间的一个可调节宽带,适合这一波段所有的半导体激光器作为其匹配的激励光源。大大提高了利用该样品涂覆制成的x线影像板的使用方便性,增加了选择匹配激励光源的弹性范围。特别是通过聚合物表面包覆进一步提高了其发光性能。


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